PDMB200E6 Nihon Inter Electronics (NIEC), PDMB200E6 Datasheet
PDMB200E6
Manufacturer Part Number
PDMB200E6
Description
Manufacturer
Nihon Inter Electronics (NIEC)
Datasheet
1.PDMB200E6.pdf
(4 pages)
Available stocks
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Part Number
Manufacturer
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Price
Company:
Part Number:
PDMB200E6
Manufacturer:
NIEC
Quantity:
560
IGBT
□ 回 路 図 :
□ 最 大 定 格 :
□ 電 気 的 特 性 :
□フリーホイーリングダイオードの 特 性:
□ 熱 的 特 性 :
(C2E1)
1
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Gate-Emitter Voltage
コ レ ク タ 電 流
Collector Current
コ レ ク タ 損 失
Collector Power Dissipation
接
Junction Temperature Range
保
Storage Temperature Range
絶
Isolation Voltage
締 め 付 け ト ル ク
Mounting Torque
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Collector-Emitter Cut-Off Current
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Gate-Emitter Leakage Current
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
入
Input Capacitance
スイッチング時間
Switching Time
順
Forward Current
順
Peak Forward Voltage
逆 回 復 時 間
Reverse Recovery Time
熱
Thermal Impedance
縁
力
合
存
電
抵
電
(E2)
耐
容
2
CIRCUIT
温
温
Module-Dual
Characteristic
Characteristic
Characteristic
圧
抗
MAXIMUM RATINGS
圧(Terminal to Base AC,1minute)
量
流
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
THERMAL CHARACTERISTICS
度
度
Module Base to Heatsink
Busbar to Main Terminal
上 昇 時 間 Rise
ターンオン時間 Turn-on Time
下 降 時 間 Fall
ターンオフ時間 Turn-off Time
Item
Item
(C1)
3
7(G2)
4(G1)
6(E2)
5(E1)
FREE WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS
IGBT
1ms
1ms
Diode
DC
DC
□ 外 形 寸 法 図 :
(T
Time
Time
C
200 A,600V
=25℃)
日本インター株式会社
3-M5
Symbol
Symbol
Symbol
Symbol
Symbol
V
Rth(j-c)
V
CE(sat)
V
V
T
V
F
I
I
C
t
GE(th)
I
t
I
t
I
P
T
t
t
I
V
12.0
CES
GES
stg
ISO
tor
CES
GES
ies
off
14
CP
on
FM
rr
1
C
C
j
r
f
F
F
23.0
11.0
9
OUTLINE DRAWING
LABEL
94.0
80
(T
12.0
14
2
V
R
R
V
(Tc測定点チップ直下)
±0.25
V
V
I
V
V
I
I
di/dt= 400A/μs
Junction to Case
23.0
CC
L
G
GE
11.0
C
Test Condition
Test Condition
Test Condition
CE
GE
C
CE
CE
F
F
9
= 1.5Ω
= 3.6Ω
=25℃)
= 200A,V
= 200A,V
= 200A,V
= 300V
= ±15V
= 600V, V
= ±20V,V
= 5V,I
= 10V,V
12.0
14
3
17.0
C
7
6
5
4
GE
GE
GE
= 200mA
GE
4-fasten tab
#110 t=0.5
GE
CE
= 15V
= 0V
= -10V
= 0V,f= 1MH
2-Ø6.5
= 0V
= 0V
Rated Value
Rated Value
-40~+150
-40~+125
2 ( 2 0 .4 )
3 ( 3 0 .6 )
2,500
Z
600
±20
200
400
780
200
400
PDMB200E6
Min.
Min.
Min.
4.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Typ.
0.15
0.25
0.10
0.35
Typ.
0.15
Typ.
QS043-402-20392(2/5)
10,000
1.9
-
-
-
-
2.1
-
(T
Max.
0.30
0.40
0.35
0.70
Max.
0.25
Max.
0.16
0.38
1.0
1.0
2.4
2.6
8.0
Dimension:[mm]
-
C
=25℃)
Unit
(kgf・cm)
Unit
Unit
Unit
Unit
V
N・m
℃/W
mA
μA
pF
μs
μs
(RMS)
V
V
A
W
℃
℃
V
V
A
V
00
Related parts for PDMB200E6
PDMB200E6 Summary of contents
Page 1
IGBT Module-Dual CIRCUIT □ 回 路 図 : 7(G2) 6(E2) (C2E1) (E2) (C1 5(E1) 4(G1) □ 最 大 定 格 : MAXIMUM RATINGS Item コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-Emitter Voltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Gate-Emitter ...
Page 2
Fig.1- Output Characteristics (Typical) 400 V =20V GE 350 15V 300 250 200 150 100 Collector to Emitter Voltage V Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical ...
Page 3
Fig.7- Collector Current vs. Switching Time (Typical OFF 0 0 100 150 Collector Current I Fig.9- Collector Current vs. Switching Time ...
Page 4
Fig.13- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode 400 T =25°C C 350 300 250 200 150 100 Forward Voltage 3x10 -1 1x10 -2 3x10 -2 1x10 -3 3x10 -3 1x10 ...